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金属钼膜的选择性沉积方法、沉积设备

发明专利有效
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

梁安阁; 王武杰

IPC 分类

C23C 16/14 (2006.01)C23C 16/04 (2006.01)

一种金属钼膜的选择性沉积方法、沉积设备,方法包括:处理件具有暴露的活性表面和惰性表面,且活性表面和惰性表面之间具有沉积选择比;将处理件置于反应腔室内,进行多次沉积处理步骤,沉积处理步骤包括:载气携带不含氧元素的卤化钼前驱体进入反应腔室,与活性表面发生吸附;卤化钼前驱体与活性表面发生吸附之后,对处理件进行第一吹扫处理;进行第一吹扫处理之后,对反应腔室通入还原性共反应物,将活性表面吸附的卤化钼前驱体还原为金属钼层;还原为金属钼层之后,对反应腔室和处理件进行第二吹扫处理;进行多次沉积处理步骤之后,将多次沉积处理步骤形成的多层金属钼层作为金属钼膜。提高金属钼膜的电导率和形成质量。