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一种提高铜表面结合力的微孔工艺

发明专利有效
8权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

韩炆洙; 朴灿映

IPC 分类

C23F 1/02 (2006.01)H10W 70/05 (2026.01)C23F 1/18 (2006.01)C23F 1/34 (2006.01)

本发明公开了一种提高铜表面结合力的微孔工艺,在AMB/DBC产品的铜表面上形成微孔,增加键合铜的比表面积,产生锚定效应,提高EMC与铜表面的结合力;微孔通过剥离铜形成凹凸的原理,在一定厚度以上不存在氧化层剥离问题;微孔形成方法包括硫酸与过氧化氢系列、氯化钠与盐酸系列、高锰酸与硫酸铜系列、氨与过氧磷酸盐系列、等离子体蚀刻和激光铜表面微孔加工。本发明所述的一种提高铜表面结合力的微孔工艺,采用湿法蚀刻工艺,利用铜结晶面的表面能量差异,使反应性低的结晶面和反应性高的结晶面的蚀刻率差异最大化,从而使整体表面粗糙度变化最小化的同时,局部地形成具有一定的大小及深度的微孔,明显提高EMC结合力。