碳化硅晶体生长装置

本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，所述碳化硅晶体生长装置包括：生长容器；粉料容器，所述粉料容器内适于容纳碳化硅粉，所述粉料容器设在所述生长容器内且所述粉料容器的外周面与所述生长容器的内周面之间具有容纳空间；导流筒，所述导流筒包括多个在周向上可相互分离的弧形导流件，所述导流筒支撑在所述粉料容器的上端面上，每个所述弧形导流件可沿径向移动且构造为适于在生长的多晶的推动下由所述粉料容器的上端面滑落至所述容纳空间。根据本发明实施例的碳化硅晶体生长装置能够降低晶体基面位错缺陷密度且无需牺牲退火工艺和生长温度，具有晶体缺陷小、生产效率高等优点。