掺杂氧化物的LaB多晶材料及其制备方法和应用

本发明公开了一种掺杂氧化物的LaB多晶材料及其制备方法和应用，所述制备方法包括：将六硼化镧和金属氧化物混合，球磨至均匀，干燥，得到第一粉末，所述金属氧化物为M的氧化物，M为Al、Zr和Ti；将第一粉末装入模具内，第一粉末居于模具中心位置且具有相同的松装密度，在惰性气体氛围下，由压力P1升压至压力P2并于压力P2、1400～2000℃保温0.5～3h以进行热压烧结，冷却且同时于压力P2保压0～3h，得到掺杂氧化物的LaB多晶材料，其中，P1为5～9MPa，P2为20～60MPa。本发明通过氧化物相的加入，使得纯的LaB陶瓷的烧结温度由1975℃降到了1800℃以下，掺杂后没有恶化LaB陶瓷的导电性，且有效的提高了抗弯强度。