eFuse存储单元及存储阵列

本发明公开了一种eFuse存储单元，其包括第一选择管、第二选择管及熔丝；第一选择管的栅端作为BL端口，漏端作为Q端口，源端接第二选择管的漏端作为SA端口；第二选择管的栅端为WL端口，源端接熔丝一端；熔丝的另一端作为gnd端口。本发明还公开了又所述eFuse存储单元构成的eFuse存储阵列，可以避免处于同一位线上的各eFuse存储单元的编程电流因所处位置的位线长度差异而易受到电压降影响，并能简化电路和版图设计，减小总体面积，提高可靠性。