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一种高功率半导体激光器巴条及单管

发明专利有效
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

汪卫敏; 苏小强; 邝朗醒; 何晋国; 胡海

IPC 分类

H01S 5/22 (2006.01)H01S 5/24 (2006.01)H01S 5/042 (2006.01)

本发明公开了一种高功率半导体激光器巴条及单管,该高功率半导体激光器巴条包括第一型欧姆接触电极、第一型衬底和多个激光器单元,多个激光器单元沿第一方向排列并设置在第一型衬底的一侧,第一型欧姆接触电极设置在第一型衬底的另一侧,激光器单元包括外延层,外延层设置在第一型衬底的一侧并位于两个隔离槽之间,外延层的台面上设有电流注入区,外延层的两侧对称设置有两个前收窄槽和/或两个后收窄槽,两个前收窄槽分别与两个隔离槽连通,两个前收窄槽位于激光器单元的前出光面和电流注入区之间,两个前收窄槽之间的最小间距小于电流注入区的宽度,两个后收窄槽分别与两个隔离槽连通。本发明可提升巴条的可靠性,并降低巴条的生产成本。