纳米级加热器结构及其制作方法

本发明提供一种纳米级加热器结构及其制作方法。该纳米级加热器结构中，加热丝设置为芯片金属互连结构中通孔层内的导电塞，储液槽为邻近加热丝设置的、并形成于该金属互连结构上方的介质层内的凹槽。其制作方法利用标准半导体后道工艺，通过形成导电塞并刻蚀介质层，将加热器与储液槽集成于同一芯片。本发明将加热丝和储液槽直接集成于芯片内部，利用标准的后道互连工艺中的钨塞作为加热元件，无需昂贵的铂等贵金属材料，也无需额外的特殊溅射工艺和封装工序，从而极大地提高了系统的集成度，并显著降低了制造成本。