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기록

一种改善超结功率器件IGSS失效的方法

발명유효
9청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ

개요

IPC 분류

H10D 62/00 (2026.01)H10P 50/20 (2026.01)H10P 74/00 (2026.01)H10P 74/20 (2026.01)

本发明提供一种改善超结功率器件IGSS失效的方法,涉及功率器件超结良率提升技术领域。包括:根据晶圆测试或晶圆接受测试结果,确认失效区域的失效参数为IGSS;对IGSS确定出多个失效原因;根据第一失效原因,确定对应的多个制定化方案,并执行多个制定化方案,以确定出对应的多个执行结果;根据单元区的硅钉,确定失效的形貌与预设刻蚀工艺产生的黑硅分布具有关联性;在具有关联性时获取最优的刻蚀工艺配方,并根据最优的刻蚀工艺配方优化失效的形貌的底部;通过调整气体配比,在预设范围的角度形貌内获得圆滑且无硅钉的最优形貌,并确定最优形貌的EAS能力极限窗口。这样,使得改善IGSS 1V失效,大幅提升量产良率。