发光二极管及其制备方法

本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。该发光二极管制备方法包括：制作外延结构；在外延结构上形成第一掩膜层，第一掩膜层的一侧具有缺口，第一掩膜层在外延结构上的投影为第一投影区域，且第一投影区域具有与第一掩膜层对应的缺口，第一投影区域的外轮廓包括位于缺口处的第一段外轮廓和位于缺口之外的第二段外轮廓；在第一掩膜层的遮挡下，对外延结构进行第一次图形化处理，形成台阶结构；去除第一掩膜层，并在外延结构上形成第二掩膜层，第二掩膜层在外延结构上的投影为第二投影区域，第一段外轮廓位于第二投影区域内，第二段外轮廓位于第二投影区域外；在第二掩膜层的遮挡下，对外延结构进行第二次图形化处理，形成隔离槽。