返回搜索
档案
一种Ag/硫化物异质结材料的制备方法及应用
发明专利有效
1浏览
9权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
葛飞跃; 张春艳; 丁永良
IPC 分类
B01J 27/04 (2006.01)B01J 35/39 (2024.01)B01J 37/08 (2006.01)C01B 3/04 (2026.01)H10F 77/12 (2025.01)B82Y 30/00 (2011.01)B82Y 40/00 (2011.01)
本发明公开了一种Ag/硫化物半导体异质结材料的制备方法及应用，属于纳米材料领域。本发明先将含有AgS/半导体异质结不饱和脂肪烯和不饱和脂肪胺溶液混合，然后加入有机膦配体，在150～200℃反应不少于10分钟，即可的到Ag/硫化物半导体异质结，制备方法简单、无需精确调控金属与半导体之间的成核与生长速率，成本低、易规模化生产，且底物适用范围广，该方法适配的底物包括AgS/CdS异质结、AgS/ZnS异质结、AgS/ZnCdS异质结，不受金属与硫化物半导体晶格失配度的限制，所制得的Ag/硫化物异质结材料作为光催化剂，具有优良的催化能力，等离激元诱导的催化产氢速度可达585.4μmol/g/h。