晶圆清洗工艺

本发明提供一种晶圆清洗工艺，涉及半导体技术领域。该晶圆清洗工艺包括对晶圆进行声波清洗的循环清洗阶段，循环清洗阶段包括循环执行的第一清洗步、第一过渡步、第二清洗步及第二过渡步，其中，第一清洗步的清洗频率为第一预设频率；第一过渡步的清洗频率由第一预设频率逐渐调节为第二预设频率，其中，第二预设频率与第一预设频率存在频率差；第二清洗步的清洗频率为第二预设频率；第二过渡步的清洗频率由第二预设频率逐渐调节为第一预设频率。该晶圆清洗工艺能够有效去除晶圆表面颗粒，且对晶圆微结构的损伤较小，同时工艺过程的控制调节难度较小、维护成本较低。