一种具备低电阻与高透光性的ITO靶材的制备方法

本发明涉及ITO靶材技术领域，具体涉及一种具备低电阻与高透光性的ITO靶材的制备方法，包括以下步骤：将氧化铟粉末、氧化锡粉末按质量比（90‑95）:（5‑10）混合，加入分散剂与去离子水，经球磨得到粒径为50‑100nm的混合浆料，喷雾干燥后获得流动性≥20s/50g的球形颗粒。本发明原料配比优化，氧化铟与氧化锡按（90‑95）:（5‑10）混合，作为基础材料，同时掺杂剂协同作用，基于晶须改性的掺杂剂（氧化锌晶须、氧化镓、二氧化硅调节剂）能优化靶材微观导电通路‑氧化锌晶须提供“线性导电通道”，氧化镓与ITO晶格匹配度高，可减少载流子散射，二者协同使靶材电阻显著降低，更适配低功耗电子器件。