电镀方法

本申请提供了一种电镀方法，属于半导体技术领域，包括提供晶圆，晶圆的表面具有种子层；提供电镀槽，电镀槽具有第一深度区域和第二深度区域，第一深度区域位于第二深度区域上方，第一深度区域内具有第一电镀溶液，第二深度区域内具有第二电镀溶液，第一电镀溶液中的目标金属的含量大于第二电镀溶液中的目标金属的含量；将晶圆置于电镀槽中，晶圆从第一电镀溶液进入第二电镀溶液内，并开始进行电镀。本申请中的晶圆进入电镀槽后，先接触第一电镀溶液，从而减小种子层被电解的几率，同时第一电镀溶液还可以润湿晶圆，达到保护种子层的目的；之后晶圆进入第二电镀溶液内开始进行电镀，可以避免电镀的镀层产生凹坑缺陷，提高电镀可靠性和质量。