磁屏蔽装置和硅单晶拉晶炉

本发明涉及一种磁屏蔽装置和硅单晶拉晶炉，磁屏蔽装置应用于具有水平磁场发生装置的硅单晶拉晶炉，水平磁场发生装置被配置为使其最大高斯面位于熔体自由液面之上，磁屏蔽装置包括磁屏蔽组件，磁屏蔽组件设于晶体生长区域的外周；磁屏蔽组件包括至少一个磁屏蔽块，沿水平磁场的磁场方向，至少一个磁屏蔽块位于水平磁场的至少一侧，用于减小晶体边缘区域的水平磁场的竖直分量。在完全不改变现有+MGP模式下的其他参数的前提下，仅通过增加一个结构相对简单的磁屏蔽装置，即可在保留+MGP模式熔体稳定、晶体品质高这一核心优势的同时，有效改善其径向氧分布不均的缺陷，解决+MGP模式下硅单晶边缘氧浓度急剧下降的技术问题。