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一种单晶金刚石晶片的低损耗制备方法
发明专利有效
9权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
潘继生; 巫礼杰; 韩子娟; 王帆帆; 阎秋生
IPC 分类
C30B 29/04 (2006.01)C30B 30/00 (2006.01)C30B 33/04 (2006.01)C30B 33/08 (2006.01)
本发明公开了一种单晶金刚石晶片的低损耗制备方法,包括以下步骤:A、对单晶金刚石晶锭的表面进行激光烧蚀;B、对表面进行激光辅助抛光;C、将超快脉冲激光调制成N个改质光斑,使所有改质光斑同时在对应的深度位置按照预设路径扫描,且同一改质光斑所形成的扫描面覆盖单晶金刚石晶锭在100晶面方向上的截面,扫描后形成N个沿单晶金刚石晶锭中垂直于100晶面的方向分布的激光改质层;D、将单晶金刚石晶锭进行应力诱导分离;E、对单晶金刚石晶片的切割面进行激光烧蚀;F、对切割面进行激光辅助抛光。本方案提出的一种单晶金刚石晶片的低损耗制备方法,有利于降低单晶金刚石晶锭的材料损失以及提高单晶金刚石晶锭的出片率。