坩埚装置、晶体生长系统、碳化硅晶体的制备方法

本申请涉及晶体生长技术领域，公开了坩埚装置、晶体生长系统、碳化硅晶体的制备方法。该坩埚装置包括坩埚，所述坩埚内部限定出容纳空间；外环，通过螺纹连接在所述坩埚上方；坩埚盖，盖设在所述外环上，并通过螺纹与所述外环连接；石墨纸，设置在所述外环和所述坩埚盖之间，所述石墨纸的边缘夹设在所述外环和所述坩埚盖之间；多孔石墨筒，设置在所述容纳空间内部，所述多孔石墨筒的侧壁和所述坩埚的侧壁之间具有间隙；籽晶板，设置在所述石墨纸远离所述坩埚盖的表面，所述籽晶板的边缘夹设在所述石墨纸和所述多孔石墨筒之间。该坩埚装置能够确保晶体生长过程中无气相组分的逃逸，由此实现碳化硅晶体的高速生长。