返回搜索
档案
一种半导体器件温度表征方法及系统
发明专利有效
1浏览
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
袁超; 毛亚莉
IPC 分类
G01K 11/00 (2006.01)G01K 1/00 (2006.01)
本发明属于温度表征技术领域,公开了一种半导体器件温度表征方法及系统。本发明提出的半导体器件温度表征方案包括:利用器件承载调节单元承载半导体器件并调节半导体器件的位置;利用探测激光发射单元、泵浦激光发射单元分别发出探测激光、加热激光,并照射至半导体器件的测试区域;利用测温单元收集并记录经半导体器件反射的测温信号;利用器件运行控制单元为半导体器件提供电信号,并同步触发测温单元记录测温信号,确保半导体器件在线工作与测温同步;利用主控单元基于测温信号得到半导体器件的瞬态温度表征信息。本发明能够实现半导体器件纳秒级时间和亚微米级空间分辨率的温度表征。