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一种半导体晶圆载流子寿命测量系统以及方法

发明专利有效
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10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

刘俊学; 孙玮键

IPC 分类

G01R 31/265 (2006.01)G01R 31/26 (2020.01)G01R 31/28 (2006.01)G01N 21/64 (2006.01)

本申请公开了一种半导体晶圆载流子寿命测量系统以及方法,应用于晶圆检测技术领域。该半导体晶圆载流子寿命测量系统包括:信号发生器、光源、图像采集模块。信号发生器可以获取光源发光脉冲信号以及图像采集脉冲信号,图像采集脉冲信号的门控开启时刻和光源发光脉冲信号的使能电平的起始时刻在光源发光脉冲信号的不同光脉冲周期存在不同的延迟时长,光源可以产生脉冲光束并激发半导体样品产生载流子,图像采集模块可以在不同图像采集周期的门控开启时刻开始采集半导体样品产生的载流子在复合过程中发出的荧光信号,以此来反映载流子复合衰减过程,通过捕捉的荧光信号强度随时间变化的动态衰减特性来测量载流子寿命,提升测量载流子寿命的准确性。