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一种狭缝型铌酸锂电光调制器

发明专利有效
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

万厚钊; 张俊伟; 胡宇霖; 李正阳; 王浩; 吕琳; 王飞; 张军; 汪汉斌

IPC 分类

G02F 1/035 (2006.01)G02F 1/03 (2006.01)

本发明提供了一种狭缝型铌酸锂电光调制器。本发明的狭缝型铌酸锂电光调制器,通过设计全覆盖式的二氧化硅上盖层并对其厚度进行调控,降低了光波导中的光场泄露损耗,同时将位置设计在铌酸锂层以及金属电极结构层之间,有效降低金属的吸收损耗;其次对狭缝型光波导结构的狭缝宽度以及狭缝厚度进行优化,减小了有效模式面积,进一步降低了传输损耗;通过特殊电场调控层的设计,在一定程度上降低光场泄露的同时,进行电场的调控,旨在增强波导中心的电场强度,最终实现了降低损耗和高调制效率的兼顾;在电光调制器中,在微波损耗、微波折射率匹配、阻抗匹配三个重要方面进行了结构优化,最终实现低损耗、高效率和大带宽的设计。