一种光刻方法及曝光装置

本发明提供一种光刻方法及曝光装置，方法包括：扫描测量基板上所有的传感芯片，得到每个传感芯片上测量点的原始高度测量信息；根据原始高度测量信息，在指定合并组合模式下，通过预设模型计算每种组合下的焦面待补偿量；合并组合模式指的是：将基板上的多个传感芯片划分为一个组，共享同一个曝光视场进行同时曝光的作业单元；通过待补偿量及原始高度测量信息，计算补偿后的高度残差，得到保证所有测量点均处于可用焦深范围内下，所允许的合并组合模式；根据评价模型得到的最优合并组合模式，分别计算掩模设定参数和晶圆载台的补偿量，将此参数信息传递给光刻机软件进行芯片曝光。根据本发明，在满足产品良率的前提下，大大提升产能。