一种基于红外干涉原理的碳化硅外延层厚度测量方法

本发明提供了一种基于红外干涉原理的碳化硅外延层厚度测量方法，涉及半导体材料参数测量技术领域，提出结合Sellmeier方程的双光束干涉数学模型，将碳化硅折射率的色散特性量化融入外延层厚度计算，建立外延层厚度与波数、入射角、折射率的精准定量关联，解决现有双光束模型忽略色散效应导致误差的问题，设计改进一阶差分极值点检测算法，通过一阶导数阈值筛选候选点、二阶导数判断极值类型，有效滤除噪声虚假极值，提高干涉关键参数的提取精度，构建数据预处理‑模型计算‑干涉判断‑修正优化‑结果验证的完整算法流程，实现碳化硅外延层厚度的自动化、高精度测量，填补现有技术体系不完整的空白。