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齐纳二极管的建模方法、器件模型及仿真方法
发明专利有效
10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
王亚杰; 王正楠; 孙玉红
IPC 分类
G06F 30/367 (2020.01)G06F 119/08 (2020.01)
本发明提供了一种齐纳二极管的建模方法、器件模型及仿真方法，包括：提供标准齐纳二极管的器件子模型；定义pt_jtun＝temper+T_kelvin；定义tfac_ntun＝1+t_ntun1*pt+t_ntun2*pt*pt；定义tfac_rbv＝1+t_rbv1*pt+t_rbv2*pt*pt；计算ntun_final＝ntun_eff*tfac_ntun；计算jtun_final＝jtun_eff*pt_jtun**jtun_temp；计算r1＝rbv*tfac_rbv*max(v(n,p),0)+0.1。本发明提高了齐纳二极管被击穿后的电流和反偏漏电流的仿真精度。