基于掺杂二氧化锡薄膜的平面型高压压敏电阻器及其制备方法

本发明公开了一种基于掺杂二氧化锡薄膜的平面型高压压敏电阻器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明旨在解决现有薄膜压敏电阻器耐压能力不足、高温薄膜图形化困难以及大电流下可靠性差的技术问题。技术方案包括：在氧化铝陶瓷衬底上，采用Al/Ni双层硬掩模剥离工艺，在600‑700℃高温下制备图形化的高结晶质量掺杂二氧化锡压敏薄膜；并在其上制备由半圆形有效区域和方形焊盘构成的优化金属电极。本发明通过高温生长获得低缺陷的压敏薄膜，实现了大于1000V的高耐压；通过双层硬掩模解决了高温薄膜的精确图形化难题；并通过优化电极材料与结构，显著提升了器件的浪涌电流耐受能力。本发明制备的压敏电阻器具有耐压高、可靠性好、工艺可量产等优点。