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基于前馈补偿的高共模瞬态抑制SiC MOSFET栅驱动电路
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
陈珍海; 柯雯瑶; 黄佩玉; 李佳豪; 刘佳佳; 杨丹萍; 吴泽炎; 铁瑞芳; 申福伟; 许媛; 何宁业; 宁仁霞
IPC 分类
H03K 17/082 (2006.01)
本发明涉及一种基于前馈补偿的高共模瞬态抑制SiC MOSFET栅驱动电路,包括发送端电路和接收端电路;所述发送端电路包括第一高CMTI OOK调制发送电路、第一高CMTI OOK解调电路、高压隔离电容Ctp、Ctn、Crpp、Crnp;所述接收端电路包括第二高CMTI OOK调制发送电路、第二高CMTI OOK解调电路、高压隔离电容Crp、Crn、Ctpp、Ctnp和高精度退饱和保护电路;所述发送端电路内部所有电路的地电位均连接到发送端地电压Vgnd1,所述接收端电路内部所有电路的地电位均连接到接收端地电压Vgnd2。本发明提出的技术方案同时在OOK调制端采用CMTI增强电路,在OOK解调端采用CMTI前馈补偿技术和CMTI滤波器组合电路,降低CMTI滤波器的滤波脉冲宽度和延迟时间,在不增加数据传输延时的基础上可实现超高CMTI抑制能力。