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半导体器件
发明专利有效
20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
朴台镇; 金千培; 林晟洙
IPC 分类
H10B 12/00 (2023.01)
半导体器件可以包括:在基板上的晶体管;在晶体管上的第一布线结构;在第一布线结构上的第一接合焊盘结构;第二布线结构,在第一布线结构上的并且在水平方向上与第一接合焊盘结构至少部分地重叠;第二接合焊盘结构,在第二布线结构上且与第二布线结构间隔开,并且在水平方向上与第一接合焊盘结构重叠;位线结构,在第一接合焊盘结构和第二接合焊盘结构上;在位线结构上的栅极结构;与栅极结构相邻且与位线结构接触的沟道;以及在沟道上的电容器。