半导体器件的制备方法及半导体工艺设备

本申请提供了一种半导体器件的制备方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，该制备方法包括：形成堆叠结构，堆叠结构包括交替堆叠的至少一层第一材料层及至少一层第二材料层；执行至少一次刻蚀工艺步，以沿着堆叠结构的侧壁横向刻蚀第一材料层或第二材料层，刻蚀工艺步包括依次执行的第一过程和第二过程，其中第一过程包括向工艺腔室通入工艺气体并停止抽气，第二过程包括停止向工艺腔室通入工艺气体并停止抽气。本申请向工艺腔室通入工艺气体在第一过程完成，工艺腔室内的环境在第二过程中较为稳定(几乎可以等同于静态)，气体扰动较小，可以避免刻蚀不均匀的问题，进而减小了器件的参数漂移，提高了器件的稳定性和良率。