一种抗闩锁的碳化硅NPN型横向绝缘栅双极型晶体管

一种抗闩锁的碳化硅NPN型横向绝缘栅双极型晶体管，包括设于N型衬底的内设P型阱区及N型缓冲区的N型外延层、栅极多晶硅和介质层，在P型阱区内设有N型发射极区、P型源极区和N型源极区，P型源极区和N型源极区具有相同电位；栅极多晶硅位于P型阱区的上方且位于所述源极金属的下方，一端位于N型源极区的上方，另一端位于P型阱区与N型缓冲区间的N型外延层上方，在栅极多晶硅下表面上设栅极氧化层。将传统LIGBT中的PNP型BJT调整为NPN型BJT，避免形成有害的PNPN结构，确保在可能触发闩锁的偏置条件下，器件仅存NPN型寄生BJT，切断了寄生SCR的形成路径和维持电流的再生反馈机制，更具抗闩锁能力。