一种高迁移率半导体材料场效应晶体管及其制备方法

本发明涉及场效应晶体管，公开了一种高迁移率半导体材料场效应晶体管及其制备方法，制备方法包括如下步骤：（1）超声清洗表面覆盖有栅介质层的基底，并用氮气枪吹干残留溶液；（2）将高迁移率半导体材料定位转移至步骤（1）获得的栅介质层上；（3）采用掩模版在上述高迁移率半导体材料表面定义沟道，并在沟道两侧沉积源漏电极；（4）将沉积源漏电极的基底放入等离子体化学气相沉积系统沉积室并通入前驱体材料，在反应气体作用下，室温下沉积类氧化硅薄膜，得到具有类氧化硅薄膜封装的高迁移率半导体材料场效应晶体管。本发明通过等离子体化学气相沉积技术在高迁移率半导体材料场效应晶体管表面沉积类氧化硅薄膜，隔绝了环境中水和氧气分子向沟道的扩散，避免了高迁移率半导体材料的性能衰退，显著提升晶体管的电学性能和稳定性。