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一种二维晶体管及其制备方法
发明专利有效
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
杨蓉; 李童
IPC 分类
H10D 30/47 (2025.01)H10D 30/01 (2025.01)
本发明公开了一种二维晶体管及其制备方法,所述底部偏置栅极设有两个,且间隔设置于所述绝缘衬底的上表面,所述底部偏置栅极的上表面完全被所述介电层覆盖,所述介电层的上表面被所述二维半导体材料完全覆盖,所述二维半导体材料的上表面设有间隔设置的所述漏极电极和所述源极电极。器件工作时,漏极电极、源极电极与底部栅极构成三端场效应晶体管;当对漏源电极施加正负偏压时,偏置栅极与沟道间会形成反向电势差,从而对沟道产生差异化掺杂效果,使晶体管呈现不同极性。此外,通过施加特定波长光强,对沟道进行光生载流子调制,同样可实现极性切换。通过设计的可重构晶体管可以实现多种可重构逻辑门电路。