沟槽栅场效应管、芯片及电子设备

一种沟槽栅场效应管、芯片及电子设备，沟槽栅场效应管包括：衬底、漂移层、第一离子掺杂层、第二离子掺杂层、栅极、隔离层、漏极、源极和屏蔽层。漏极、衬底、漂移层、第一离子掺杂层、第二离子掺杂层和源极依次层叠设置；第一离子掺杂层与第二离子掺杂层的掺杂类型不同；屏蔽层位于漂移层内，且与隔离层接触，屏蔽层在衬底上的正投影位于沟槽在衬底上的正投影之内。通过在栅极下方的漂移层内设置屏蔽层，可以实现对栅极以及栅极与漂移层之间的隔离层进行高压保护。由于屏蔽层在衬底上的正投影位于沟槽在衬底上的正投影之内，从而可以避免屏蔽层阻挡部分导通电流的路径，进而避免增加沟槽栅场效应管的导通阻抗。