一种半导体器件及其制备方法和电子装置

一种半导体器件及其制备方法和电子装置，制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成有栅极介质层，在所述栅极介质层上形成有栅极结构，所述栅极结构包含间隔设置的开关栅极、逻辑电路栅极和LNA栅极；在所述LNA栅极上形成有保护层；对所述LNA栅极进行横向刻蚀处理，以形成T型栅结构；形成介质层，所述介质层覆盖所述衬底及所述栅极结构，且在所述T型栅结构的两侧形成空腔。本申请能有效降低栅电阻并优化沟道长度控制，显著提升射频性能，有效解决了现有技术中5G LNA器件因寄生电容大而受限的射频性能及制备成本居高不下的问题。