一种发光二极管及发光装置

本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管至少包括一外延结构，该外延结构至少包括第一半导体层、过渡层、有源层及第二半导体层。其中，第一半导体层包括第一掺杂层，过渡层形成于第一半导体层上，且与第一掺杂层相接触。过渡层的N型掺杂浓度小于第一掺杂层的N型掺杂浓度。有源层形成于第一半导体层上，第二半导体层形成于有源层上。由此，本发明通过在第一半导体层与有源层之间设置过渡层，该过渡层的N型掺杂浓度小于第一掺杂层的N型掺杂浓度，进而能够缓解电子传输速率过快的问题，促进电子的横向迁移率，提高有源层内电子和空穴的复合效率，进而提高发光二极管的发光亮度。