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一种基于绿光ZnSeTe量子点材料的全溶液倒置量子点发光二极管及其制备方法

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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

曹盛; 梁艺; 赵家龙

IPC 分类

H10K 50/115 (2023.01)C09K 11/88 (2006.01)C09K 11/02 (2006.01)B82Y 20/00 (2011.01)B82Y 30/00 (2011.01)H10K 50/16 (2023.01)H10K 71/00 (2023.01)H10K 71/12 (2023.01)H10K 71/40 (2023.01)H10K 71/60 (2023.01)

本发明公开了一种基于绿光ZnSeTe量子点材料的全溶液倒置量子点发光二极管及其制备方法,涉及量子点发光二极管技术领域。所述发光二极管从下往上依次层叠设置有ITO阴极、双层电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极;所述量子点发光层由绿光ZnSeTe量子点组成,所述绿光ZnSeTe量子点的表面结合有无机短链配体NHPF。本发明通过采用无机短链配体NHPF处理绿光ZnSeTe量子点作为量子点发光层,并用于制备全溶液倒置量子点发光二极管,可使发光二极管具有优异的电致发光性能。