复合衬底及复合衬底的制备方法

本申请实施例提供一种复合衬底及复合衬底的制备方法，涉及半导体器件技术领域，用于解决相关技术中由3C‑SiC衬底与4H‑SiC衬底键合形成的复合衬底键合界面电阻较大的技术问题；该复合衬底包括：3C‑SiC层和4H‑SiC层，4H‑SiC层包括第一表面，3C‑SiC层包括第二表面；第一表面和/或第二表面包括具有N型导电性的高浓度掺杂层，3C‑SiC层和4H‑SiC层的键合界面为高浓度掺杂层与第二表面、高浓度掺杂层与第一表面或两个高浓度掺杂层的接触面。利用高浓度掺杂层的能带弯曲效应调整界面能带，降低键合界面的势垒宽度和高度，使电子通过隧穿机制穿过势垒，提高电子在异质结界面的迁移效率，降低界面电阻。