一种预测焦点偏移的方法

本申请公开了一种预测焦点偏移的方法，包括：提供第一器件，第一器件表面形成有第一多晶硅和第二多晶硅；确定第一多晶硅的第一厚度H1和第二多晶硅的第二厚度H2；确定第一器件中的第一多晶硅的覆盖率C1和第二多晶硅的覆盖率C2；基于第一器件进行设计变更，以得到第二器件；获取第二器件相对于第一器件的第一多晶硅覆盖率变化值∆C1、第二多晶硅覆盖率变化值∆C2；根据第一厚度H1、第二厚度H2、第一多晶硅覆盖率变化值∆C1、第二多晶硅覆盖率变化值∆C2，得到零点平面偏移量∆L；基于零点平面偏移量∆L，得到焦点偏移量∆F。本申请通过上述方案，能够在设计阶段预测并补偿焦点偏移量，确定器件间焦点的变化，改善工艺窗口。