一种基于等离子体活化的碳化硅基材表面缺陷修复与钝化工艺

本发明涉及半导体技术领域，公开一种基于等离子体活化的碳化硅基材表面缺陷修复与钝化工艺，旨在解决现有SiC基材缺陷修复与钝化工艺复杂、修复效果欠佳及性能影响等问题。该方法包括：对SiC基材预处理，于等离子体腔室中抽真空加热；通入活化气体，形成等离子体活化基材表面；引入修复前驱体，在等离子体辅助下填充缺陷并促进晶格重构；继而引入钝化前驱体，在等离子体辅助下形成致密钝化层。该系统包括：预处理单元、等离子体反应腔室、气体前驱体供给单元、等离子体源、真空泵组、加热装置及过程控制系统。本申请通过采用上述方案，可实现SiC基材深层次、全面缺陷修复与钝化，简化工艺，提升电学性能、介电强度及环境稳定性，并通过原位监测与反馈控制提高工艺精确性与稳定性。