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芯片级加热器及其制作方法
发明专利有效
16权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
卓红标; 王星杰; 蔡超迁
IPC 分类
H10P 95/90 (2026.01)B81C 1/00 (2006.01)
本发明提供一种芯片级加热器及其制作方法。该芯片级加热器包括:衬底、设置在衬底上的多晶硅加热丝、以及设置在多晶硅加热丝上方的介质层,其中在所述介质层中形成有储液槽。其制作方法包括:在衬底上形成多晶硅加热丝;在所述多晶硅加热丝上方形成介质层;并对所述介质层进行刻蚀以形成储液槽。本发明利用标准半导体前道工艺中的多晶硅作为加热元件,将加热器与储液槽集成于同一芯片,无需昂贵的贵金属材料及特殊溅射工艺,从而显著提高了系统集成度,简化了制造流程,大幅降低了生产成本,且与标准工艺完全兼容。