一种半导体结构及其形成方法

本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括第一金属层和位于所述第一金属层表面的介质层；第二金属层，位于所述介质层中并且所述第二金属层的顶面与所述介质层的顶面平齐；覆盖层，覆盖所述介质层和第二金属层表面。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以解决金属研磨后介质层表面金属颗粒残留的问题，提高IMD‑TDDB性能。