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被膜结构体的制造方法及被膜结构体

发明专利有效
14权利要求 · 4 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

原周平; 松尾贤; 荷方惣一朗

IPC 分类

C04B 35/52 (2006.01)B32B 9/00 (2006.01)B32B 9/04 (2006.01)C01B 32/914 (2006.01)C04B 41/87 (2006.01)

本发明的被膜结构体的制造方法是在碳基材上具有金属‑碳复合体被膜的被膜结构体的制造方法,具有下述工序:涂布工序:在碳基材上涂布金属化合物含有物;和加热工序:通过对经涂布的碳基材进行加热,在碳基材上形成金属‑碳复合体被膜。本发明的被膜结构体是在碳基材上形成有金属‑碳复合体被膜的被膜结构体,其中,金属‑碳复合体被膜是通过对在碳基材上涂布的金属化合物含有物进行加热而形成的。