一种COP缺陷检测方法及装置

本发明提供了一种COP缺陷检测方法及装置，属于半导体制造技术领域。该方法包括：对待测晶圆进行扫描检测，获取待测晶圆上每个缺陷点的检测结果；基于多通道光散射特征向量，确定第一缺陷点为晶体原生粒子COP缺陷的第一评分值；基于待测晶圆上第一类型的缺陷点的数量占比，确定待测晶圆中存在COP缺陷的第二评分值；基于待测晶圆上各缺陷点的空间分布，确定待测晶圆中存在COP缺陷的第三评分值；根据第一评分值、第二评分值和第三评分值，确定待测晶圆的COP缺陷结果。从多个维度对待测晶圆进行综合评分，最终确定COP缺陷检测结果，实现对单片晶圆的COP缺陷的准确识别，提高检测结果的可靠性。