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一种电阻抗成像方法、装置、设备及介质

发明专利未知
12权利要求 · 4 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

蔡文静; 高贵锋; 付峰; 王喆; 何怀武; 刘斌; 曹哲

申请日

Jul 28, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

G06T 17/20 (2006.01)G06N 3/0455 (2023.01)G06N 3/0464 (2023.01)G06N 3/042 (2023.01)G06T 5/73 (2024.01)G06N 3/0475 (2023.01)G06N 3/094 (2023.01)G06N 3/084 (2023.01)G06N 3/0985 (2023.01)G06N 3/096 (2023.01)G06V 10/44 (2022.01)G06V 10/82 (2022.01)

本发明公开了一种电阻抗成像方法、装置、设备及介质,电阻抗成像方法包括:通过预设的电极阵列向待成像对象进行交叉激励,获取待成像对象的当前交叉激励响应数据,电极阵列包括多个交错排布的电极;根据当前交叉激励响应数据对待成像对象进行预重建,获得待成像对象的当前电阻抗分布图;对当前电阻抗分布图进行特征提取,获取待成像对象的当前节点邻接关系和当前节点特征;基于当前节点邻接关系和当前节点特征,利用预设的图像生成模型生成待成像对象的目标电阻抗分布图。该方法通过交叉激励与特征提取相结合的方式,有效提升了电阻抗分布图的重建精度和空间分辨率,能够更准确地反映待成像对象内部实时的电特性变化。

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