多层电子组件以及制造该多层电子组件的方法

本公开提供一种多层电子组件以及制造该多层电子组件的方法。所述多层电子组件可包括：主体，包括介电层以及与所述介电层交替设置的内电极，所述介电层包括Ba、Ti和Ge；以及外电极，设置在所述主体上，并且所述介电层可包括多个介电晶粒以及设置在相邻的介电晶粒之间的晶界，并且所述晶界处的相对于Ti的平均Ge含量可大于等于0.2at%且小于等于4.5at%。