半导体器件及其制造方法、电子设备

本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件的制造方法包括：在衬底上方依次形成多个同层的电容、多个同层的第一源漏极、多个同层的第一信号线以及多个同层的第二信号线；第一源漏极对应连接于电容上方；多个第一信号线各自沿第一方向延伸；多个第二信号线各自沿第二方向延伸；形成多个第二通孔；基于第二通孔，横向刻蚀第一信号线，形成第一凹槽；在第一凹槽内形成第一栅绝缘结构；在多个第二通孔内形成依次覆盖并填充第二通孔的半导体结构、第二栅绝缘结构和第二栅极，形成多个晶体管；形成第三信号线，连接多个晶体管的第二栅极。本申请实施例可有效提高半导体器件的性能。