半导体器件

本公开涉及一种半导体器件，并且所述半导体器件包括：外围电路结构，所述外围电路结构包括衬底、外围电路以及第一外围缓冲层，所述衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面的衬底，并且包括第一杂质区域和位于所述第一杂质区域之间的第二杂质区域，所述外围电路位于所述衬底的所述第一表面上，所述第一外围缓冲层位于所述衬底的所述第二表面上；单元结构，所述单元结构与所述外围电路结构交叠；以及电荷屏蔽层，所述电荷屏蔽层位于所述衬底与所述第一外围缓冲层之间，其中，所述单元结构包括：多个存储单元，所述多个存储单元包括存储晶体管和电容器；以及字线和位线，所述字线和所述位线连接到所述存储晶体管。