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半导体装置
发明专利未知
20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
郑丞真; 柳成男; 柳相赫; 李炅奂; 李道仙; 李宣姃; 丁乙芝
申请日
Dec 23, 2025
公开日
Oct 16, 2026
IPC 分类
H10B 12/00 (2023.01)
一种半导体装置包括:含金属的导电线;含金属的接触图案,其在竖直方向上与含金属的导电线隔开并且具有比含金属的导电线小的长度;沟道层,其在含金属的导电线和含金属的接触图案之间在竖直方向上延伸,并且具有与第一导电构件接触的上端和与第二导电构件间隔开的下端,其中,第一导电构件是含金属的导电线和含金属的接触图案中的一个,并且第二导电构件是含金属的导电线和含金属的接触图案中的另一个;以及含硅的金属氮化物膜,其在第二导电构件和沟道层的下端之间,并且具有与第二导电构件接触的第一表面和与沟道层接触的第二表面。
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