半导体存储装置

本申请涉及半导体存储装置，该半导体存储装置包括：第一层叠物和第二层叠物，所述第一层叠物和所述第二层叠物在所述半导体存储装置的单元区域和所述半导体存储装置的邻近所述单元区域的狭缝区域中层叠在半导体基板上。该半导体存储装置还包括多个单元插塞，所述多个单元插塞在所述单元区域中至少部分地穿过所述第二层叠物和所述第一层叠物并沿竖直方向延伸；狭缝，所述狭缝在所述狭缝区域中至少部分地穿过所述第二层叠物和所述第一层叠物；以及保护图案，所述保护图案布置在所述狭缝和所述多个单元插塞中的与所述狭缝相邻的虚设单元插塞之间。