用于形成3D NAND闪存的存储器结构的方法

一种用于形成3D NAND闪存的存储器结构的方法，包括：在基板上方形成层堆叠，该层堆叠包括栅极层和栅极间间隔物层的交替序列；在围绕层堆叠中的存储器孔的侧壁中形成凹陷区；在每一凹陷区中形成初始电荷俘获层；在存储器孔中沉积隧穿氧化物层；在隧穿氧化物层上沉积沟道层；在层堆叠中形成接触沟槽；通过在朝向存储器孔的方向上从接触沟槽在横向上回蚀栅极层，在层堆叠中形成栅极腔；氧化每一栅极腔中的初始电荷俘获层的一部分，使得经氧化部分形成阻挡氧化物层，并且初始电荷俘获层的非氧化部分保留下来，以形成在阻挡氧化物和存储器孔之间的最终电荷俘获层；以及通过经由接触沟槽在栅极腔中沉积栅极材料来在栅极腔中形成栅极层。