一种分裂沟槽侧壁注入的金属氧化物半导体场效应晶体管

本发明公开了一种分裂沟槽侧壁注入的金属氧化物半导体场效应晶体管，其包括从下到上叠层设置的N⁺型半导体衬底、N⁺型缓冲层和N⁻型半导体漂移区、N型半导体载流子拓展层和P型半导体基区；P型半导体基区和N型半导体载流子拓展层中部的两端间隔开设有两个沟槽，沟槽的底部设置有P⁺型半导体电场屏蔽区，P⁺型半导体电场屏蔽区的上表面和沟槽的侧壁上均设置有栅氧化层，栅氧化层内填充有重掺杂多晶硅栅；两个沟槽相互靠近的侧壁上设置有通过倾斜角度P型掺杂离子注入工艺形成的P型连通区；本方案在不增加工艺难度和元胞面积的前提下，实现P型半导体电场屏蔽区的有效接地，同时保持较低的比导通电阻和良好的栅氧可靠性。