一种氧化镓深紫外光电探测器及其制备方法

本申请公开了一种氧化镓深紫外光电探测器及其制备方法。本申请的氧化镓深紫外光电探测器，包括在氧化镓层与电极之间，或者N型氧化镓层与P型半导体层之间，增加超薄宽禁带势垒层；超薄宽禁带势垒层为氧化铝、氧化锆、氧化铪和氮化铝中的至少一种材料形成单层或多层层叠结构。本申请的氧化镓深紫外光电探测器，超薄宽禁带势垒层不仅能有效饱和氧化镓表面悬挂键、降低界面陷阱态密度、抑制缺陷辅助隧穿所致的漏电，还能够与氧化镓层及其他层共同构成隧道异质结，在维持高光电流响应的同时压低暗电流，提升器件的光暗电流比与信噪比。