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微发光二极管阵列及其制作方法、发光装置

发明专利未知
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10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

聂君扬; 孙伟高

申请日

Jul 2, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10H 29/14 (2025.01)H10H 29/80 (2025.01)H10H 29/01 (2025.01)

本申请公开了一种微发光二极管阵列及其制作方法、发光装置,属于发光二极管技术领域,利用粘结部将光学调整部与发光单元进行固定连接,光学调整部与发光单元可独立设计制作,光学调整部的参数可以根据发光单元的光学参数以及应用场景的要求进行定制设计,有利于将光学调整部与发光单元及应用场景耦合,改善微发光二极管阵列的发光效果。